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四探针方阻电阻率测试仪(北京供应商)

发布时间:  2024-08-14

产品型号:  

产品报价:  

厂商性质:  生产厂家

所  在  地:  北京市海淀区上地科技园上地十街1号

产品特点:  1.方块电阻范围:10-2~2×103Ω/□

2.电阻率范围:10-3~2×104Ω-cm

3.测试电流范围:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA

4.电流精度:±0.3%读数

5.电阻精度:≤0.5%

6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

7.测试方式: 普通单电测量

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产品概述

四探针方阻电阻率测试仪(北京供应商)广泛用于:

覆盖膜;

导电高分子膜,

高、低温电热膜;

隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、

装饰膜、装饰纸;

金属化标签、合金类箔膜;

熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层,电阻式、电容式触屏薄膜;

电极涂料,

其他半导体材料、

薄膜材料方阻测试

硅晶块、

晶片电阻率及扩散层、

外延层、

ITO导电箔膜、

导电橡胶等材料方块电阻 

半导体材料/晶圆、

太阳能电池、

电子元器件,

导电薄膜(ITO导电膜玻璃等),

金属膜,

导电漆膜,

蒸发铝膜,

PCB铜箔膜,

EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率 

导电性油漆,

导电性糊状物,

导电性塑料,

导电性橡胶,

导电性薄膜,

金属薄膜,

抗静电材料,

EMI 防护材料,

导电性纤维,

导电性陶瓷等

 

 

四探针方阻电阻率测试仪(北京供应商)适用标准:

按照硅片电阻率测量的标准(ASTM F84)

国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、

GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、

GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》

 

 

并参考美国 A.S.T.M 标准,本机配置232电脑接口及USB两种接口,本机结合采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差,比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量,更加准确.

 

本仪器本仪器采用四探针单电测量法适用于:

生产企业、高等院校、科研部门,

是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

 

 

仪器特点:

配置各类测量装置可以测试不同材料。

液晶显示,无需人工计算,并带有温度补偿功能,电阻率单位自动选择,仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程,无需人工多次和重复设置。

采用高精度AD芯片控制,恒流输出,结构合理、质量轻便,运输安全、使用方便;选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成报表;

 

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

 

 

 

参数资料

1.方块电阻范围:10-2~2×103Ω/□

2.电阻率范围:10-3~2×104Ω-cm

3.测试电流范围:1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA

4.电流精度:±0.3%读数

5.电阻精度:≤0.5%

6.显示读数:液晶显示:电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

7.测试方式: 普通单电测量

8.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz  耗:<30W

9.整机不确定性误差: ≤4%(标准样片结果)

10.选购功能: 选购1.pc软件; 选购2.方形探头; 选购3.直线形探头; 选购4.测试平台

11.测试探头:   探针间距选购:1mm;2mm;3mm三种规格; 探针材质选购:碳化钨针;白钢针;镀金磷铜半球形针

 

 

 


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